1、设备简介：

本设备用于太阳能行业中晶硅电池片隧穿氧化层+POLY层(预留磷掺杂多层薄膜)的成长，其膜的产生效果最终影响电池片转换效率与电池性能参数。

无需进行设备改造，可兼容 210及以下所有晶片尺寸。

2、设备参数

1. 设备管数：6管/台

        装片数量：1300 片/管/210 硅片单插/2.38mm间距；

        1560片/管/182硅片单插/2.38mm间距

2. 控温方式：6点PROFILE+SPIKE串级温控

3. 工作温度范围：400-700℃

4. 恒温区长度：≥2300mm

5. 恒温区精度：≤1℃

6. 升温时间：20℃升至1000℃，用时＜60min

7. 升温速率：≥16℃/min

8. 降温速率：≤5℃/min

9. 自动斜率升降温及恒温功能：有

10. 温度斜变能力：有

11. 极限真空：≤10mTorr

12. 漏气率：≤5mTorr/min

13. 工艺压力范围：40-500mTorr

14. 真空泵：HD2000

15. 工艺气体：氧气（O2）、氮气（N2）、硅烷（SiH4）

16. 气体流量计：Horriba

17. 驱动方式：伺服电机驱动

18. 传动方式：同步带

19. 行程：3900mm

20. 上下料：机械臂上下料装置

21. 自动插片匹配性：可匹配